Номер детали производителя : | RN1703JE(TE85L,F) |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 7910 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1703JE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 7910 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Поставщик Упаковка устройства | ESV |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 22kOhms |
Резистор - основание (R1) | 22kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-553 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN1703 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH