Номер детали производителя : | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | TPC8A02-H(TE12L,Q)(1).pdfTPC8A02-H(TE12L,Q)(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | TPC8A02-H(TE12L,Q)(1).pdfTPC8A02-H(TE12L,Q)(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP (5.5x6.0) |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 1W (Ta) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1970 pF @ 10 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16A (Ta) |
Базовый номер продукта | TPC8A02 |
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC TO277A
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC TO277A
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC TO277A