Номер детали производителя : | SI1078X-T1-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | 5997 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI1078X-T1-GE3(1).pdfSI1078X-T1-GE3(2).pdfSI1078X-T1-GE3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI1078X-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 5997 pcs |
Спецификация | SI1078X-T1-GE3(1).pdfSI1078X-T1-GE3(2).pdfSI1078X-T1-GE3(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±12V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 240mW (Tc) |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 110 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.02A (Tc) |
Базовый номер продукта | SI1078 |
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
MOSFET P-CH 20V SC89-6
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
MOSFET N-CH 30V SC89-6
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6