Номер детали производителя : | SI4752DY-T1-GE3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 30V 25A 8SO | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI4752DY-T1-GE3(1).pdfSI4752DY-T1-GE3(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI4752DY-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 30V 25A 8SO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI4752DY-T1-GE3(1).pdfSI4752DY-T1-GE3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | SkyFET®, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | Schottky Diode (Body) |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
Базовый номер продукта | SI4752 |
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 32QFN
IC CAR RAD RX AM/FM/LW/SW 32QFN
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 32QFN
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 32QFN
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 32QFN
IC CAR RAD RX AM/FM/LW/SW 32QFN
IC CAR RAD RX AM/FM/LW/SW 32QFN
IC CAR RAD RX AM/FM/LW/SW 32QFN
IC CAR RAD RX AM/FM/LW/SW 32QFN