Номер детали производителя : | SIHB120N60E-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | 923 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIHB120N60E-GE3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIHB120N60E-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 923 pcs |
Спецификация | SIHB120N60E-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
Серии | E |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 179W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1562 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIHB120 |
N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK