Номер детали производителя : | W947D2HBJX5E | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W947D2HBJX5E(1).pdfW947D2HBJX5E(2).pdfW947D2HBJX5E(3).pdfW947D2HBJX5E(4).pdfW947D2HBJX5E(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W947D2HBJX5E |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W947D2HBJX5E(1).pdfW947D2HBJX5E(2).pdfW947D2HBJX5E(3).pdfW947D2HBJX5E(4).pdfW947D2HBJX5E(5).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR |
Поставщик Упаковка устройства | 90-VFBGA (8x13) |
Серии | - |
Упаковка / | 90-TFBGA |
Упаковка | Tray |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 128Mbit |
Организация памяти | 4M x 32 |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 200 MHz |
Базовый номер продукта | W947D2 |
Время доступа | 5 ns |
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA