MMUN2137LT1G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN MMUN2137LT1G имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. MMUN2137LT1G от ON Semiconductor представляет собой MOSFET, предназначенный для эффективного применения в переключении мощности. Он имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)), как правило, 37 миллиомов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Устройство работает с напряжением источника дренажа (VDS) до 60 В, что делает его подходящим для различных систем управления питанием.

Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, что выгодно в высокочастотных операциях. MOSFET имеет заряд затвора (QG) всего 14 NC, что способствует его эффективной производительности. С максимальным текущим рейтингом 38A он поддерживает требовательные приложения электроэнергии.

Это устройство, обычно используемые в преобразователях DC-DC, схемах управления двигателями и системами управления аккумуляторами, обеспечивает надежную производительность в секторах автомобильной, промышленной и потребительской электроники. Его термически улучшенный пакет SOIC-8 обеспечивает эффективное рассеяние тепла, поддержание стабильности в условиях тяжелой нагрузки. Цена и время для MMUN2137LT1G В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.