IRG4BC20UDSTRLP

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IRG4BC20UDSTRP-это высокоэффективный мосфет (металлический окисенный, экземпляр, транзистор, производимый инфинеоном. Это устройство является частью серии IR Generation 4, предназначенной для эффективных приложений переключения. Он оснащен конфигурацией режима улучшения N-канала с максимальным напряжением источника дренажного источника (VDS) 200 В и непрерывным током дренажа (ID) 9,2а при 25 ° C.

Ключевые характеристики включают низкий уровень резистентности (RDS (ON)) 0,18 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности во время работы. MOSFET также может похвастаться быстрыми скоростями переключения, снижая потери переключения и повышая общую эффективность системы. Его термически улучшенный пакет SO-8 способствует лучшему рассеянию тепла, что делает его подходящим для мощных применений.

Этот MOSFET широко используется в автомобильной электронике, промышленном управлении и потребительских приборах. Типичные приложения включают управление двигателем, расходные материалы и преобразователи DC-DC. Его надежный дизайн и надежная производительность делают его отличным выбором для инженеров, ищущих эффективные и долговечные решения в требовательных окружающих.