ITS612N1E3230HKSA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка ITS612N1E3230HKSA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. ITS612N1E3230HKSA1 от Infineon Technologies-это высокопроизводительный MOSFET режима улучшения N-канала, предназначенный для требований приложений для управления питанием. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 1,2 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и эффективную доставку мощности. Расположенный в компактном пакете DSO-SC-70-8, он поддерживает высокие возможности тока, сохраняя при этом отличные тепловые характеристики.

Идеально подходит для автомобильной и промышленной электроники, этот MOSFET предлагает превосходные характеристики переключения с быстрым временем выключения и выключения, снижением потери переключения и повышением эффективности системы. Его надежная конструкция включает в себя расширенные функции защиты, такие как защита электростатического разряда (ESD) и прочность на лавину, обеспечивая надежную работу в суровых условиях.

ITS612N1E3230HKSA1 поддерживает широкий спектр приложений, включая преобразователи DC-DC, управление двигателем и нагрузочные переключатели. Передовая технология Infineon гарантирует, что это устройство соответствует строгим требованиям современных электронных систем, обеспечивая надежность и производительность в разнообразных средах. Пожалуйста, свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.