| Номер детали производителя : | ES1B R3G | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | ES1B R3G(1).pdfES1B R3G(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | ES1B R3G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | ES1B R3G(1).pdfES1B R3G(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 35 ns |
| Упаковка / | DO-214AC, SMA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | ES1B |







DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

THERMOSENS IR 12-24V 140-260DEGC

THERMOSENS IR 12-24V 10-70DEG C
Diode, Superfast, SMA, 100V, 1A,

THERMOSENS IR 12-24V 60-120DEG C

THERMOSENS IR 12-24V 115-165DEGC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC