| Номер детали производителя : | RN1905FE,LF(CB |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RN1905FE,LF(CB.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RN1905FE,LF(CB |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | RN1905FE,LF(CB.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 2.2 kOhms |
| Мощность - Макс | 100mW |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия | RN1905FE(TE85LF)CT RN1905FE(TE85LF)CT-ND RN1905FELF(CBCT RN1905FELF(CTCT RN1905FELF(CTCT-ND |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 16 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |







TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6